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携带终端用功率放大器

产品概要

最近,为了支持高速数据通信(HSPA、LTE等),手机和智能手机的无线电电路单元功耗有所增大, 因此需要功率更小的零部件。松下针对手机模块的功率放大器(PA)利用BiFET(*1)技术实现低功耗, 降低了无线电电路单元的功率。

*1 松下原创的元器件结构可以将HFET (Hetero FET) 和 HBT (Hetero BT) 集成到一个芯片。

以下是每个频段的覆盖图。(图中的数字位频带名称)
* 点击部品号,可打开新窗口获得技术文件。

UN06B frequency band cover image UN06B17 UN06B13 UN06B05 UN06B08 UN06B11 UN06B03 UN06B02 UN06B01 UN06B40 UN06B07 UN06B41H

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特点

外观

  • 高效运行: 48%(相对于UN06B01的信号状态99)
  • 集成功率耦合器
  • 输入/输出 50Ω 阻抗匹配
  • 小型封装 (3.0mm x 3.0mm x 0.85mm)
  • 双模式偏置开关型功率放大器

方块图



UN06B Block Diagram

PAMP09-N2

顶视图

PAMP09-N2 (RF PA Module) Image Sample Top View

 

底视图

PAMP09-N2 (RF PA Module) Image Sample Bottom View

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应用

Power Amplifier (PA) for Handset Applications

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应用的关联产品。

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产品一览

product number search
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*1 RoHS对应:EU RoHS(2011/65/EU)所禁止的6项物质,若全部不到临界值即「已对应」。
其中若仅有一项物质超出临界值则定义为「无对应」 (豁免用途除外)。具体内容请参照「EU RoHS指令适合确认报告书」 。
在表"-"的产品请咨询。
*2 REACH对应:关于2016年6月20日更新版中, ECHA候选物质清单中记载的SVHC169物质,
在"由卖方提供的部品信息"与"构成产品的部品"这两个信息中,
若出现SVHC每产品重量的SVHC含有超出0.1wt%的,即属于「含有SVHC」、全部为0.1wt%以下时,才可定义为「SVHC不含有」。

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技术资料

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